**Part Number:** IPP06CNE8N  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0 V (min) - 4.0 V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 40 nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

**Descriptions:**  
The IPP06CNE8N is an N-Channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

**Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable TrenchMOS™ technology  
- Suitable for high-efficiency DC-DC converters and motor control applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPP06CNE8N.