IPP05CN10N

OptiMOS?2 Power-Transistor The IPP05CN10N is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPP05CN10N  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for efficient operation.  
- Robust thermal characteristics for high-power dissipation.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- TO-220 package ensures easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IPP05CN10N MOSFET.

OptiMOS?2 Power-Transistor