OptiMOS3 Power-Transistor The **IPP052NE7N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPP052NE7N3G  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** PG-TSDS-8 (8-pin DSO)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **R_DS(on) (Max):** 5.2mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Optimized for **low conduction and switching losses**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** in automotive and industrial applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced power losses.  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications.  
- **Enhanced thermal performance** due to the PG-TSDS-8 package.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For detailed datasheets, refer to **Infineon's official documentation**.

OptiMOS3 Power-Transistor