### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 100V  
- **Current Rating (ID):** 40A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 79W  
- **RDS(on) (Max):** 0.04Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The IPP04CN10NG is an N-channel power MOSFET from Infineon, designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Robust and reliable performance  
- Suitable for automotive and industrial applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed technical parameters, refer to Infineon's official documentation.

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 100V  
- **Current Rating (I_D):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.04Ω @ 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPP04CN10NG MOSFET.