OptiMOS?3 Power-Transistor The **IPP042N03LG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **R_DS(on)GS = 10V):** 4.2mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (Typical)  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **IPP042N03LG** is a **30V N-Channel MOSFET** optimized for high-efficiency power switching applications. It features **low on-state resistance (R_DS(on))** and **high current capability**, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.

### **Key Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Optimized for synchronous rectification** in DC-DC converters.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  

For exact application details, refer to the official **Infineon datasheet**.

OptiMOS?3 Power-Transistor