OptiMOS?3 Power-Transistor The **IPP041N04NG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.41 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Ensures reliability for automotive use.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed datasheets, refer to **Infineon's official documentation**.

OptiMOS?3 Power-Transistor