**Part Number:** IPP023NE7N3G  

### **Specifications:**  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 25 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320 A  
- **R_DS(on) (Max):** 2.3 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220 (PG-TO220-3)  

### **Descriptions:**  
The IPP023NE7N3G is a high-performance N-Channel MOSFET from Infineon's OptiMOS™ 5 family, designed for low-voltage applications requiring high efficiency and power density. It features ultra-low R_DS(on) and fast switching performance, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports high power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Optimized for Synchronous Rectification:** Ideal for DC-DC converters and motor control.  

(Data sourced from Infineon's official documentation.)