Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor The **IPI60R190C6** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPI60R190C6  
- **Technology:** CoolMOS™ C6 (Superjunction MOSFET)  
- **Voltage Rating (VDS):** 600 V  
- **Current Rating (ID):** 11 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 190 mΩ (max) at VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 48 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency power conversion** applications.  
- Part of Infineon’s **CoolMOS™ C6 series**, optimized for **low conduction and switching losses**.  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), PFC (Power Factor Correction), and lighting applications**.  

### **Features:**  
- **Superjunction technology** for improved efficiency.  
- **Low gate charge (Qg)** for reduced switching losses.  
- **Fast switching performance**.  
- **High avalanche ruggedness**.  
- **Pb-free and RoHS compliant**.  

This information is strictly based on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor