OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) The **IPI200N15N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPI200N15N3G  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 150V  
- **Current Rating (ID):** 200A (at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 3.0 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 600W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The **IPI200N15N3G** is a high-power N-Channel MOSFET designed for applications requiring high current handling and low on-state resistance.  
- It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 200A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** High thermal performance with TO-247 package.  
- **Avalanche Rated:** Provides reliability under rugged conditions.  

For detailed application notes or additional parameters, refer to the official **Infineon datasheet**.

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)