OptiMOS?2 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) The **IPI08CN10N** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPI08CN10N  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100 pF (typical)  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **IPI08CN10N** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion in industrial and automotive applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (80A continuous, 320A pulsed).  
- **Fast switching performance** for efficient power management.  
- **Robust thermal performance** with a TO-220 package.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Optimized for synchronous rectification** in DC-DC converters.  

For detailed datasheets, refer to **Infineon's official documentation**.

OptiMOS?2 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)