OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) The IPI028N08N3G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPI028N08N3G  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 80V  
- **Current Rating (ID):** 28A (continuous at 25°C)  
- **RDS(on):** 2.8 mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IPI028N08N3G is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-state resistance (RDS(on)) and high switching efficiency.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in rugged operating conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon’s official documentation.

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)