OptiMOS Power-Transistor The IPG20N06S2L-35 is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 35 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 35 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 V (min) to 4 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IPG20N06S2L-35 is an N-channel MOSFET designed for **high-efficiency power switching applications**. It features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Lead-free, RoHS-compliant** packaging  
- **TO-252 (DPAK) package** for compact PCB mounting  

This MOSFET is optimized for **automotive and industrial applications** requiring high power density and thermal performance.  

(Data sourced from Infineon’s official documentation.)

OptiMOS Power-Transistor