OptiMOS?2 Power-Transistor The IPF09N03LAG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPF09N03LAG  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 35mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  
- Robust and reliable due to Infineon’s TrenchFET® technology.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the IPF09N03LAG MOSFET.

OptiMOS?2 Power-Transistor