OptiMOS-T Power-Transistor The **IPD90N04S3-04** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 90 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 360 A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.0 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low R_DS(on):** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robustness under inductive load conditions.  
- **Logic Level Gate Drive:** Can be driven by 5 V or 10 V gate signals.  
- **Optimized for DC-DC Converters & Motor Control:** Ideal for synchronous rectification and power management.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on Infineon's official datasheet for the **IPD90N04S3-04** MOSFET.

OptiMOS-T Power-Transistor