IPD78CN10NG

OptiMOS?2 Power-Transistor The IPD78CN10NG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 78 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 312 A  
- **R_DS(on) (Max):** 10 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 333 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The IPD78CN10NG is a high-performance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is part of Infineon's OptiMOS™ 5 family, optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Supports high power applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor