OptiMOS3 Power-Transistor The **IPD530N15N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD530N15N3G  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The **IPD530N15N3G** is a high-performance **N-Channel MOSFET** designed for power switching applications.  
- It is part of Infineon’s **OptiMOS™ 5** family, optimized for **low conduction losses** and **high efficiency**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor drives, and industrial power supplies**.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (100A continuous, 400A pulsed).  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Optimized gate charge (Q_g)** for reduced switching losses.  
- **TO-220 package** for easy mounting and thermal management.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet and technical documentation.

OptiMOS3 Power-Transistor