OptiMOS-T Power-Transistor The **IPD30N10S3L-34** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 34 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0 V to 4.0 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25 nC (typ) at V_DS = 50 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **IPD30N10S3L-34** is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Key Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and power supply circuits**.  

(Source: Infineon Datasheet for IPD30N10S3L-34)

OptiMOS-T Power-Transistor

OptiMOS-T Power-Transistor The IPD30N10S3L-34 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD30N10S3L-34  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 34 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven with lower gate voltages (compatible with 5 V logic).  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Optimized for DC-DC Converters and Motor Control:** Ideal for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

OptiMOS-T Power-Transistor