IPD30N06S2-15

OptiMOS Power-Transistor The **IPD30N06S2-15** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 15mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** – Surface-mount package with good thermal performance.  

### **Description:**  
The **IPD30N06S2-15** is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Key Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load spikes.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V or 10V gate signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed electrical characteristics and thermal performance, refer to the official **Infineon datasheet**.

OptiMOS Power-Transistor