OptiMOS Power-Transistor The **IPD30N06S2-15** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 15mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** – Surface-mount package with good thermal performance.  

### **Description:**  
The **IPD30N06S2-15** is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Key Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load spikes.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V or 10V gate signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed electrical characteristics and thermal performance, refer to the official **Infineon datasheet**.

OptiMOS Power-Transistor

OptiMOS Power-Transistor The **IPD30N06S2-15** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 83 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 15 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 V (min), 4 V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28 nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The **IPD30N06S2-15** is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5 V and 10 V gate drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

The device is available in a **TO-252 (DPAK)** package.  

(Source: Infineon Technologies Datasheet)

OptiMOS Power-Transistor

OptiMOS Power-Transistor The IPD30N06S2-15 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD30N06S2-15  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **R_DS(on) (Max):** 15mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 83W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**
- **High Efficiency:** Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Robustness:** High avalanche ruggedness and improved thermal performance.  
- **Logic Level Compatible:** Can be driven by low-voltage gate drivers (V_GS = 10V).  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and automotive systems.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPD30N06S2-15 MOSFET.

OptiMOS Power-Transistor