OptiMOS Power-Transistor The **IPD30N03S2L-07** is a **30V N-channel MOSFET** manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) - 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 14nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **IPD30N03S2L-07** is a **low on-resistance N-channel MOSFET** designed for **high-efficiency power switching applications**. It is optimized for **low-voltage, high-current** applications such as **DC-DC converters, motor control, and power management** in automotive and industrial systems.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **Optimized for synchronous rectification**  
- **Low gate charge** for improved efficiency  
- **Logic-level gate drive capability**  

The device is housed in a **TO-252 (DPAK)** package, making it suitable for space-constrained applications.  

(Source: Infineon Technologies Datasheet)

OptiMOS Power-Transistor