Low Voltage MOSFETs The **IPD20N03L** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.045 Ω (max) at V_GS = 10 V  
  - 0.055 Ω (max) at V_GS = 4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0 V to 2.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12 nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **IPD20N03L** is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Performance** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions  
- **Optimized for 4.5 V and 10 V Gate Drive**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  
- **Suitable for DC-DC Converters, Motor Control, and Power Switching Applications**  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPD20N03L**.

Low Voltage MOSFETs