OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) The IPD200N15N3G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IPD200N15N3G  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 150 V  
- **Current Rating (I_D):** 200 A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 3.3 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 600 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Optimized for High Power Applications:** Designed for high current and high voltage switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching Performance:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and industrial systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)