OptiMOS Power MOSFET, 30V, DPAK, RDSon = 13.5mOhm, 30A, LL The IPD14N03L is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IPD14N03L is an N-channel MOSFET designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**. It is optimized for **low on-resistance and fast switching performance**, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for robustness in harsh environments.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **TO-252 (DPAK) Package** for efficient thermal performance.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and power switching circuits**.  

*(All data is sourced from Infineon's official documentation.)*

OptiMOS Power MOSFET, 30V, DPAK, RDSon = 13.5mOhm, 30A, LL