IPD13N03LA

Low Voltage MOSFETs The IPD13N03LA is a power MOSFET manufactured by INFINCOE. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The IPD13N03LA is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing good thermal performance and ease of mounting.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **High Current Handling Capability:** Supports up to 13A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in high-energy environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Low Voltage MOSFETs