OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters The **IPD135N03L G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD135N03L G  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 135A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 540A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 1.35mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 1.8mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 333W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **IPD135N03L G** is a high-performance N-channel MOSFET optimized for low-voltage applications.  
- It is part of Infineon's **OptiMOS™** family, designed for high efficiency and power density.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (135A continuous).  
- **Optimized for fast switching** in power applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For detailed datasheet information, refer to **Infineon’s official documentation**.

OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters