IPD12CN10NG

OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS The IPD12CN10NG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5 V (min), 4 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 8 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  
- Robust and reliable construction with a wide operating temperature range.  
- Avalanche ruggedness for improved durability in harsh conditions.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPD12CN10NG. For detailed application notes or testing conditions, refer to the manufacturer's documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS