OptiMOS?2 Power-Transistor The **IPD10N03LAG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.1 Ω (max) at V_GS = 10 V  
  - 0.12 Ω (max) at V_GS = 4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0 V to 2.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 6.5 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** (3-pin package)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven with low gate voltages (4.5 V).  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:**  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power management in automotive and industrial systems  
  - Load switching  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPD10N03LAG** MOSFET.

OptiMOS?2 Power-Transistor