### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.035Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Low on-state resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-efficiency power management applications.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Source: Infineon datasheet for IPD09N03LBG)