Low Voltage MOSFETs The IPD09N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  

### **Descriptions:**
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching applications.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Enhanced thermal characteristics.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This MOSFET is optimized for low-voltage, high-current applications where efficiency and thermal performance are critical.

Low Voltage MOSFETs