OptiMOS3 Power-Transistor The **IPD088N04L G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD088N04L G  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 88 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 352 A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.8 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 88 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Designed for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Optimized for Automotive & Industrial Use:** Suitable for motor control, DC-DC converters, and power management.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental regulations.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPD088N04L G** MOSFET. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

OptiMOS3 Power-Transistor