IPD075N03LG

OptiMOS3 Power-Transistor The IPD075N03LG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 3.5 mΩ (at V_GS = 10 V)  
  - 4.5 mΩ (at V_GS = 4.5 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2000 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100 pF (typical)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 10 ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 35 ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Optimized for High Current Applications**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management**  
- **Battery Protection Circuits**  

This information is based on Infineon's datasheet for the IPD075N03LG MOSFET.

OptiMOS3 Power-Transistor