IC Phoenix logo

Home ›  I  › I20 > IPD075N03LG

IPD075N03LG from 英飞凌,Infineon

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

IPD075N03LG

Manufacturer: 英飞凌

OptiMOS3 Power-Transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IPD075N03LG 英飞凌 7500 In Stock

Description and Introduction

OptiMOS3 Power-Transistor The **IPD075N03LG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300 A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 125 W  
- **RDS(on) (Max):** 1.7 mΩ (at VGS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.8 V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3200 pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 900 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100 pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for fast switching** in DC-DC converters, motor control, and power management.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Low gate charge (Qg)** for improved efficiency in high-frequency applications.  

This MOSFET is commonly used in **automotive, industrial, and consumer electronics** applications.

Application Scenarios & Design Considerations

OptiMOS3 Power-Transistor
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IPD075N03LG Infineon 11600 In Stock

Description and Introduction

OptiMOS3 Power-Transistor The IPD075N03LG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD075N03LG  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300 A  
- **Power Dissipation (PD):** 200 W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.5 mΩ (typical at VGS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
The IPD075N03LG is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion applications.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (75 A continuous)  
- Fast switching performance  
- Optimized for automotive and industrial applications  
- Robust and reliable design  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's datasheet and technical documentation for the IPD075N03LG.

Application Scenarios & Design Considerations

OptiMOS3 Power-Transistor
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IPD075N03LG IN 7500 In Stock

Description and Introduction

OptiMOS3 Power-Transistor The IPD075N03LG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300 A  
- **Power Dissipation (PD):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 3.5 mΩ (at VGS = 10 V)  
  - 4.5 mΩ (at VGS = 4.5 V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2000 pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 600 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100 pF (typical)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (td(on)): 10 ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (td(off)): 35 ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses  
- **Optimized for High Current Applications**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management**  
- **Battery Protection Circuits**  

This information is based on Infineon's datasheet for the IPD075N03LG MOSFET.

Application Scenarios & Design Considerations

OptiMOS3 Power-Transistor

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips