OptiMOS Power-Transistor The **IPD075N03L** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**
1. **Type:** N-Channel MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
3. **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
5. **R_DS(on) (Max):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
7. **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
8. **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
9. **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **IPD075N03L** is a **low on-resistance (R_DS(on))** N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for **low-voltage, high-current** applications such as DC-DC converters, motor control, and power management.  
- The device features **fast switching performance** and **low gate charge**, making it suitable for high-frequency applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (75A continuous, 300A pulsed).  
- **Optimized for 10V gate drive** (V_GS).  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For detailed datasheet information, refer to **Infineon's official documentation**.

OptiMOS Power-Transistor