IPD06N03LAG

OptiMOS?2 Power-Transistor The **IPD06N03LAG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD06N03LAG  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the IPD06N03LAG. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer’s documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor