Low Voltage MOSFETs The IPD06N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPD06N03LA  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven with low-voltage signals (as low as 4.5V).  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Packaging:** Available in TO-252 (DPAK) package for efficient thermal performance.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

(Note: All details are based on Infineon's official datasheet.)

Low Voltage MOSFETs