OptiMOS3 Power-Transistor The **IPD068N10N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 68 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 272 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.8 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.3 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 770 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130 pF  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Optimized for High Efficiency:** Designed for low conduction and switching losses.  
- **Fast Switching Performance:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against high-energy transients.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Enhances switching efficiency.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with lower gate drive voltages.  
- **Applications:** Used in power supplies, DC-DC converters, motor control, and other high-current switching circuits.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPD068N10N3G** MOSFET.

OptiMOS3 Power-Transistor