OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS The **IPD060N03LG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **IPD060N03LG** is an **N-channel MOSFET** designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- It is optimized for **low on-state resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** in automotive and industrial applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (60 A continuous).  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For detailed datasheets, refer to **Infineon's official documentation**.

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS