OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS The **IPD060N03L G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD060N03L G  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240 A  
- **R_DS(on) (Max):** 6.0 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **IPD060N03L G** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Key Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 60 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Robust Design:** Suitable for harsh environments with a wide temperature range.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Ensures reliability for automotive applications.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet and official product documentation.

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS