OptiMOS?2 Power-Transistor The IPD05N03LAG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD05N03LAG  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0 V (min), 2.5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 220 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (as low as 4.5 V).  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Package:** TO-252 (DPAK), surface-mount design for compact PCB integration.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor