OptiMOS3 Power-Transistor The IPD053N08N3G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD053N08N3G  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 53A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 212A  
- **R_DS(on) (Max):** 5.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The IPD053N08N3G is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It offers low on-state resistance (R_DS(on)) for efficient power handling.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports high load currents.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management systems.

OptiMOS3 Power-Transistor