OptiMOS(TM)3 Power-Transistor The **IPD053N06N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD053N06N3G  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 60V  
- **Current Rating (I_D):** 53A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5V (typical)  
- **Gate Charge (Q_g):** 24nC (typical at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The **IPD053N06N3G** is a **60V N-Channel MOSFET** optimized for **high-efficiency power switching** applications.  
- It is part of Infineon’s **OptiMOS™ 5** family, offering **low on-resistance and high current capability**.  
- Designed for **automotive and industrial applications**, including **DC-DC converters, motor control, and power management**.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling** (53A continuous).  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Optimized for synchronous rectification** in SMPS (Switched-Mode Power Supplies).  

This information is based on Infineon's official datasheet and product documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer’s datasheet.

OptiMOS(TM)3 Power-Transistor