OptiMOS?2 Power-Transistor The IPD04N03LAG is a power MOSFET manufactured by **Infineon**. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for **automotive and industrial** applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for improved efficiency.  
- **Fast switching** performance.  
- **AEC-Q101 qualified** (suitable for automotive use).  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and power management** systems.  

(Source: Infineon datasheet)

OptiMOS?2 Power-Transistor