IPD04N03LA G

OptiMOS?2 Power-Transistor The **IPD04N03LA G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD04N03LA G  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable performance in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (V_GS = 4.5V).  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and automotive systems.  

This information is based on Infineon's official datasheet and product documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's datasheet.

OptiMOS?2 Power-Transistor