OptiMOS Power MOSFET, 30V, DPAK (5-Pin), RDSon = 4.2mOhm, 100A, LL The IPD04N03L is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 83 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150 pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IPD04N03L is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  
- **Optimized for synchronous rectification.**  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  

The device is available in a TO-252 (DPAK) package.  

(Source: Infineon Technologies datasheet)

OptiMOS Power MOSFET, 30V, DPAK (5-Pin), RDSon = 4.2mOhm, 100A, LL