IPD03N03LBG

OptiMOS 2 Power-Transistor The IPD03N03LBG is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPD03N03LBG  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0 mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IPD03N03LBG is a low-voltage N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is part of Infineon’s OptiMOS™ family, optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for applications such as DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche-Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

OptiMOS 2 Power-Transistor