OptiMOS3 Power-Transistor The **IPD038N06N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 38 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 152 A  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 3.8 mΩ (at V_GS = 10 V)  
  - 4.5 mΩ (at V_GS = 4.5 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Performance:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Optimized Gate Charge (Q_G):** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** Designed to withstand high-energy avalanche conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
- **Applications:**  
  - DC-DC Converters  
  - Motor Control  
  - Power Management  
  - Battery Protection Circuits  

This information is based strictly on Infineon's official datasheet for the **IPD038N06N3G** MOSFET.

OptiMOS3 Power-Transistor