OptiMOS3 Power-Transistor The **IPD038N04NG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPD038N04NG  
- **Technology:** N-channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 40V  
- **Current Rating (I_D):** 38A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max):** 3.8 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Optimized for **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching** performance.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** systems.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (38A continuous).  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  

This MOSFET is commonly used in **automotive, industrial, and consumer electronics** applications where high power efficiency is required.  

*(Note: Always refer to the official Infineon datasheet for detailed specifications and application guidelines.)*

OptiMOS3 Power-Transistor