CoolMOS Power Transistor The **IPB60R199CP** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB60R199CP  
- **Technology:** CoolMOS™ C7  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600 V  
- **Current Rating (ID):** 19 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 199 mΩ (max) at VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 125 W  
- **Package:** TO-263-3 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **IPB60R199CP** is a high-voltage MOSFET optimized for high-efficiency power conversion applications.  
- It is part of Infineon's **CoolMOS™ C7** series, which provides low switching losses and high thermal performance.  
- Suitable for **switched-mode power supplies (SMPS), PFC (Power Factor Correction), and motor control** applications.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for improved efficiency.  
- **Optimized gate charge (Qg)** for reduced driving losses.  
- **High avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS-compliant** packaging.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. No additional guidance or suggestions are included.

CoolMOS Power Transistor