CoolMOS Power Transistor The **IPB50R199CP** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C7  
- **Voltage Rating (VDS):** 500 V  
- **Current Rating (ID):** 19 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 199 mΩ (max at VGS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 125 W  
- **Package:** TO-263-3 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power conversion** applications.  
- Utilizes **CoolMOS™ C7 technology**, offering low switching losses and high efficiency.  
- Suitable for **switched-mode power supplies (SMPS), PFC (Power Factor Correction), and motor control** applications.  
- **Low gate charge (QG)** and **low output capacitance (COSS)** for improved switching performance.  
- **Avalanche ruggedness** ensures reliability in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is optimized for **high-frequency switching** and **energy-efficient designs** in industrial and consumer electronics.  

Would you like additional details on any specific parameter?

CoolMOS Power Transistor