OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated The IPB26CN10N is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB26CN10N  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 26A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous rating (exact value depends on conditions)  
- **Power Dissipation (P_D):** Typically around 100W (exact value depends on thermal conditions)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** Low (specific value depends on V_GS and conditions, e.g., ~26mΩ at 10V V_GS)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IPB26CN10N is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is part of Infineon’s OptiMOS™ family, optimized for efficiency and reliability in high-power circuits.  
- Suitable for applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 26A continuous drain current.  
- **Robust Design:** High thermal performance due to the TO-263 package.  
- **Avalanche Rated:** Provides improved ruggedness in harsh conditions.  

For exact values under specific conditions, refer to the official Infineon datasheet.

OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated