OptiMOS Power MOSFET, 30V, D2PAK, RDSon = 12.9mOhm, 42A, LL The IPB15N03L is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IPB15N03L is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

OptiMOS Power MOSFET, 30V, D2PAK, RDSon = 12.9mOhm, 42A, LL