IPB14N03LAG

OptiMOS?2 Power-Transistor The IPB14N03LAG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB14N03LAG  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48 W  
- **R_DS(on) (Max):** 19 mΩ @ V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (Typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 75 pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The IPB14N03LAG is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching.  
- **High Current Capability:** Supports up to 14 A continuous drain current.  
- **Robust Design:** Suitable for automotive and industrial applications.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Ensures reliability in automotive environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor